United Microelectronics Corporation

United Microelectronics Corporation
Dades
Nom curt	UMC i 聯電
Tipus	negoci ; empresa ; empresa cotitzada
Indústria	semiconductor
Forma jurídica	societat per accions
Història
Creació	1980; 22 maig 1980
Activitat
Borsa de cotització	() - (NYSE UMC)
Governança corporativa
Seu	Hsinchu Science Park (República de la Xina);
Seu	Hsinchu (República de la Xina);
Empleats	19.000
Filial	United Microelectronics (United States) (en) ; Funtech Entertainment Corporation (en) (1995–1996)
Propietari de	Silicon Integrated Systems (en) ; ITE Tech. Inc. (en) ; Wavetek Microelectronics Corporation (en)
Lloc web	umc.com
	Localització geogràfica

United Microelectronics Corporation (UMC) és una empresa taiwanesa amb seu a Hsinchu, Taiwan. Va ser fundada com la primera empresa de semiconductors de Taiwan l'any 1980 com a spin-off de l'Institut d'Investigació de Tecnologia Industrial (ITRI) patrocinat pel govern.^[1]

UMC és més coneguda pel seu negoci de fosa de semiconductors, la fabricació d'hòsties de circuits integrats per a empreses de semiconductors sense fables. En aquest paper, UMC se situa per darrere del competidor TSMC. Té quatre fàbriques de 300 mm de diàmetre de les oblies, una a Taiwan, una a Singapur, un a la Xina i un al Japó.^[2]

UMC cotitza a la Borsa de Valors de Taiwan com a 2303. UMC té 12 instal·lacions de fabricació a tot el món, que donen feina a aproximadament 19.500 persones.

UMC és un proveïdor important de la indústria de l'automoció.^[3]

Processos

Desglossament dels ingressos per geometria^[4]

Geometria	3Q21	3Q20	3Q19	3Q18
14 nm i per sota	0%	0%	0%	5%
14 nm<x<=28nm	19%	14%	12%	13%
28nm<x<=40nm	18%	23%	26%	22%
40nm<x<=65nm	19%	19%	14%	12%
65nm<x<=90nm	8%	10%	12%	10%
90nm<x<=0,13um	12%	11%	11%	11%
0,13um<x<=0,18um	13%	13%	13%	14%
0,18um<x<=0,35um	8%	8%	9%	10%
0,5um i més	3%	2%	3%	3%

Llista de fàbriques

Fab	Node	Ubicació	Diàmetre de l'oblia	Oblies al mes
WKT	450-350 nm	Hsinchu, Taiwan	150 mm	31.000
Fab 8A	500-250 nm	Hsinchu, Taiwan	200 mm	67.000
Fab 8C	350-110 nm	Hsinchu, Taiwan	200 mm	37.000
Fab 8D	130-90 nm	Hsinchu, Taiwan	200 mm	31.000
Fab 8E	500-180 nm	Hsinchu, Taiwan	200 mm	37.000
Fab 8F	180-150 nm	Hsinchu, Taiwan	200 mm	40.000
Fab 8S	180-110 nm	Hsinchu, Taiwan	200 mm	31.000
Fab 8N (He Jian)	500-110 nm	Suzhou, Xina	200 mm	76.000
Fab 12A	130-14 nm	Tainan, Taiwan	300 mm	87.000
Fab 12i	130-40 nm	Singapur	300 mm	53.000
Fab 12X (United Semiconductor)	40-28 nm	Xiamen, Xina	300 mm	19.000 -> 25,000 (2021)
Fab 12M (USJC, antiga Fujitsu)	90-40 nm	Mie, Japó	300 mm	33.000

Referències

[1]

[2]

[3]

[4]