Snapdragon 800 -sarja

järjestelmämikropiirien sarja
(Ohjattu sivulta Qualcomm Snapdragon 801)

Snapdragon 800 -sarja on Qualcommin Snapdragon-sarjan järjestelmämikropiireistä kallein ja tehokkain sarja. Snapdragon 800 -sarjan järjestelmäpiirit ovat suurimmaksi osaksi 64-bittisiä.[1]

Snapdragon 800 -sarja
Perustietoja
KehittäjäQualcomm
ValmistajaQualcomm
Arkkitehtuuri ja luokitus
Piiriluokkajärjestelmäpiiri
KäskykantaARM
Tuotteet, mallit, variaatiot
TuotesarjaQualcomm Snapdragon

Tuotteet

Snapdragon 800

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
8074-AA28 nm HPmARMv7Krait 40042,26 GHzAdreno 330450 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3800 MHz

(12,8 GB/s)

8274-AA28 nm HPmARMv7Krait 40042,26 GHzAdreno 330450 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3800 MHz

(12,8 GB/s)

8674-AA28 nm HPmARMv7Krait 40042,26 GHzAdreno 330450 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3800 MHz

(12,8 GB/s)

8974-AA28 nm HPmARMv7Krait 40042,26 GHzAdreno 330450 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3800 MHz

(12,8 GB/s)

8274-AB28 nm HPmARMv7Krait 40042,36 GHzAdreno 330578 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)

Snapdragon 801

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
8074-AB28 nm HPmARMv7Krait 40042,36 GHzAdreno 330578 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)

8674-AB28 nm HPmARMv7Krait 40042,36 GHzAdreno 330578 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)

8974-AB28 nm HPmARMv7Krait 40042,36 GHzAdreno 330578 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)

8274-AC28 nm HPmARMv7Krait 40042,45 GHzAdreno 330578 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)

8974-AC28 nm HPmARMv7Krait 40042,45 GHzAdreno 330578 MHzHexagon QDSP6 V5600 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)

Snapdragon 805

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
APQ808428 nm HPmARMv7-AKrait 45042,7 GHzAdreno 420600 MHzHexagon V50800 MHzLPDDR3800 MHz

(25,6 GBps)

Snapdragon 808

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
MSM899220 nm HPmARMv8-ACortex-A57

Cortex-A53

2 + 41,82 GHz + 1,44 GHzAdreno 418600 MHzHexagon V56800 MHzLPDDR3933 MHz

(14,9 GB/s)

Snapdragon 810

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
MSM899420 nm HPmARMv8-ACortex-A57

Cortex-A53

4 + 42,0 GHz +

1,55 GHz

Adreno 430650 MHzHexagon V56800 MHzLPDDR41 600 MHz

(25,6 GB/s)

Snapdragon 815

Snapdragon 810:n seuraajan huhuttiin olevan viivaleveydeltään 16 nanometrin Snapdragon 815.[2] Sen oletettiin käyttävän Cortex A72 -ytimiä.[2] Snapdragon 815:a ei kuitenkaan koskaan julkaistu.[2]

Snapdragon 820

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
MSM8996 Lite14 nm Samsung FinFET LPPARMv8-AKryo2 + 21,8 GHz +

1,36 GHz

Adreno 530510 MHz

(407,4 GFLOPS)

Hexagon 6801 GHzLPDDR41 333 MHz (21,3 GB/s)
MSM899614 nm Samsung FinFET LPPARMv8-AKryo2 + 22,15 GHz +

1,6 GHz

Adreno 530624 MHz

(498,5 GFLOPS)

Hexagon 6801 GHzLPDDR41 866 MHz (29,8 GB/s)

Snapdragon 821

Snapdragon 821:n viivaleveys on 14 nanometriä.[3]

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
MSM8996 Pro-AB14 nm Samsung FinFET LPPARMv8-AKryo2 + 22,15 GHz +

1,6 GHz

Adreno 530624 MHz

(498,5 GFLOPS)

Hexagon 6801 GHzLPDDR41 866 MHz (29,8 GB/s)
MSM8996 Pro14 nm Samsung FinFET LPPARMv8-AKryo2 + 22,35 GHz +

1,6 GHz

Adreno 530653 MHz

(519,2 GFLOPS)

Hexagon 6801 GHzLPDDR41 866 MHz (29,8 GB/s)

Snapdragon 835

Qualcomm julkaisi Snapdragon 835:n tarkat tiedot CES-messuilla vuoden 2017 tammikuussa.[3] Sen viivaleveys on 10 nanometriä.[3]

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
MSM899810 nm Samsung FinFETARMv8-AKryo 2804 + 42,45 GHz +

1,9 GHz

Adreno 540Hexagon 682LPDDR4X1 866 MHz

(29,8 GB/s)

Snapdragon 845

Qualcomm julkaisi Snapdragon 845:n 6. joulukuuta 2017. Sen viivaleveys on 10 nanometriä.[4][5]

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
SDM84510 nm Samsung FinFETARMv8-AKryo 3854 + 42,8 GHz +

1,8 GHz

Adreno 630710 MHzHexagon 685LPDDR4X1 866 MHz

(29.9 GB/s)

Snapdragon 855 ja 855+

Qualcomm julkaisi Snapdragon 855:n 6. joulukuuta 2018 ja Snapdragon 855+:n 15. heinäkuuta 2019. Molempien viivaleveys on 7 nanometriä.[6][7]

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
SM81507 nmARMv8-AKryo 4851 + 3 + 42,84 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHz

Adreno 640585 MHzHexagon 690LPDDR4X2 133 MHz

(34,1 GB/s)

SM8150-AC2,96 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHz

675 MHz

Snapdragon 865 ja 865+

Qualcomm julkaisi Snapdragon 865:n 4. joulukuuta 2019 ja Snapdragon 865+:n 8. heinäkuuta 2020. Molempien viivaleveys on 7 nanometriä.[8][9][10][11]

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
SM82507 nmARMv8-AKryo 5851 + 3 + 42,84 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHz

Adreno 650587 MHzHexagon 698LPDDR52 750 MHz

(34,1 GB/s)

SM8250-AB3,1 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHz

645 MHz

Snapdragon 870

Qualcomm julkaisi Snapdragon 870:n 19. tammikuuta 2021. Sen viivaleveys on 7 nanometriä.[12][13]

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
SM8250-AC7 nmARMv8-AKryo 5851 + 3 + 43,2 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHz

Adreno 650675 MHzHexagon 698LPDDR52 750 MHz

(44 GB/s)

Snapdragon 888 ja 888+

Qualcomm julkaisi Snapdragon 888:n 1. joulukuuta 2020 ja Snapdragon 888+:n 28. kesäkuuta 2021. Molempien viivaleveys on 5 nanometriä.[14][15][16][17]

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
SM83505 nmARMv8-AKryo 6801 + 3 + 42,84 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHz

Adreno 660840 MHzHexagon 780LPDDR53 200 MHz

(51,2 GB/s)

SM8350-AC3,0 GHz + 2,42 GHz

+ 1,8 GHz

Snapdragon 8 Gen 1 ja 8+ Gen 1

Qualcomm julkisti 8 Gen 1:n 1. joulukuuta 2021 ja 8+ Gen 1:n 20. toukokuuta 2022. Molempien viivaleveys on 5 nanometriä.[18][19][20][21]

MalliTuotanto-

prosessi

CPUGPUDSPMuistiteknologia
KäskykantaTyyppiYtimiäKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKellotaajuusTyyppiKaistanleveys
SM84505 nmARMv9-AKryo 6801 + 3 + 43,0 GHz + 2,5 GHz
+ 1,8 GHz
Adreno 730840 MHzLPDDR53 200 MHz
(51,2 GB/s)
SM84753,2 GHz + 2,75 GHz
+ 2,0 GHz
700 MHz

Lähteet

Käännös suomeksi
Tämä artikkeli tai sen osa on käännetty tai siihen on haettu tietoja muunkielisen Wikipedian artikkelista.
Alkuperäinen artikkeli: en:List of Qualcomm Snapdragon systems-on-chip#Snapdragon 800 series
Tämä tietotekniikkaan liittyvä artikkeli on tynkä. Voit auttaa Wikipediaa laajentamalla artikkelia.