Silicon on insulator
Silicon on insulator eli SOI on puolijohteiden valmistuksessa käytetty tekniikka, jossa substraatissa on pelkän piin sijasta tyypillisesti piidioksidista tai safiirista tehty eristekerros kahden piikerroksen välissä. Näin valmistettuun mikropiiriin muodostuvat loiskapasitanssit ovat piisubstraattiin verrattuna pienempiä, joten piirin tehonkulutus on matalampi.[1] IBM julkaisi ensimmäisen SOI-toteutuksen elokuussa 1998.
Radiotaajuus- ja sekasignaalisovellutuksissa tekniikalla saadaan alhaisempi kohina.[2]
Lähteet
🔥 Top keywords: Wikipedia:EtusivuToiminnot:HakuJarno SaarinenEija-Riitta KorholaOliver KapanenToni NieminenToiminnot:Tuoreet muutoksetJääkiekon maailmanmestaruuskilpailut 2024Robert FicoHuhtikuu tuleeJääkiekon maailmanmestaruuskilpailutLinnea VihonenSuomen jääkiekkomaajoukkueMelroseVeeti KallioMaria SidKimmo KapanenItävallan jääkiekkomaajoukkueSuomiYasukeSlovakiaLuettelo hätäkeskuksen tehtäväluokistaEurovision laulukilpailu 2024Juhani TamminenItävaltaKirjosieppoJorma UotinenJääkiekon maailmanmestaruuskilpailut 2023Fritzlin insestitapausMerja Kyllönen16. toukokuutaHilkka KinnunenSami KapanenNeste (yritys)Uusi-KaledoniaAnja RäsänenSarajevon laukauksetJukka JalonenSmer-SD