250 nm(나노미터) 공정 또는 0.25 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 250 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준을 말한다.
250nm CMOS 공정은 1987년 카사이 나오키가 주도하는 일본의 NEC 연구팀에 의해 증명되었다.[1]