စီလီကွန် ကွန်ထရိုး ရက်တီဖိုင်ယာ
စီလီကွန် ကွန်ထရိုး ရက်တီဖိုင်ယာ (silicon controlled rectifier- အက်စ်စီအာ) သို့မဟုတ် ဆီမီးကွန်ဒက်တာ ကွန်ထရိုး ရက်တီဖိုင်ယာ (semiconductor controlled rectifier) ဆိုသည်မှာ အလွှာ ၄ ခု ပါဝင်သော အီလက်ထရွန်းနစ် ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး လျှပ်စီးလမ်း(လျှပ်စီးကြောင်း) (Current) ကို ထိန်းချုပ်ရန် အတွက် ဖြစ်သည်။ 'p–n–p–n switching' ဆိုသည့် အလွှာလေးလွှာ နည်းစနစ်ကို ၁၉၅၆တွင် ဘဲလ်ဓာတ်ခွဲခန်းမှ မောလ်၊ ဂိုးလ်ဒီ၊ တန်းနန်းဘောင်နှင့် ဟော်လွန်ယက် စသည့်သူများက တီထွင်ခဲ့သည်။[၁] စီလီကွန် ထိန်းချုပ် လျှပ်စီးပြောင်းစနစ်နှင့် (လျှပ်စစ်)ပစ္စည်းတစ်ခု၏ အသေးစိတ် သဘောတရားပိုင်းဆိုင်ရာတို့၏ လက်တွေ့ သရုပ်ဖော်တင်ဆက်မှုသည် ၁၉၅၈ ဇန်နဝါရီတွင် ဘဲလ်ဓာတ်ခွဲခန်းမှ ဒေါက်တာ လန် အမ် မက်ကင်တော့ရှ် တင်ပြခဲ့သော လက်တွေ့စမ်းသပ်မှုနှင့်လည်း ကိုက်ညီသည်။[၂][၃] စီလီကွန် ကွန်ထရိုး ရက်တီဖိုင်ယာ သို့ SCR ဆိုသော အမည်မှာ သိုင်ရစ်စတာ (Thyristor) အမျိုးအစား အီလက်ထရွန်းနစ် ပစ္စည်းအတွက်ဂျင်နရယ် အီလက်ထရစ်၏မူပိုင် မှတ်ပုံတင် ထားသော အမည် ဖြစ်သည်။ ဤ SCR ကို ဂေါ်ဒန် ဟောလ် ဦးဆောင်သော လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာများအဖွဲ့(စွမ်းအားပိုင်း)က ဖွံ့ဖြိုးအောင် လုပ်ဆောင်ခဲ့၍[၄] ဖရန့် ဒဗလျူ ဘီလ် ဂါ့ဇ်ဝီလာက ၁၉၅၇တွင် စီးပွားဖြစ် လုပ်ဆောင်ခဲ့သည်။
 စွမ်းအားမြင့် SCR | |
| အမျိုးအစား | Passive |
|---|---|
| အလုပ်လုပ်သောနိယာမ | Ian M. Mackintosh (Bell Laboratories) |
| တီထွင်ခဲ့ | Gordon Hall and Frank W. "Bill" Gutzwiller |
| ပထမဆုံးထုတ်လုပ် | General Electric, 1957 |
| Pin configuration | Anode, gate နှင့် cathode |
| အီလက်ထရွန်းနစ် သင်္ကေတ | |
 | |
သိုင်ရစ်စတာကို စီလီကွန်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ၎င်းစီလီကွန်ကို possitive အမျိုးအစား၊Negative အမျိုးအစားအဖြစ်သက်မှတ်၍ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ထားခြင်းဖြစ်သည်။ သိုင်ရစ်စတာသည် ထရန်စစ္စတာကို အခြေခံ၍ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ထားခြင်းဖြစ်သည်။ ၎င်းထရန်စစ္စတာ၏ pnp အမျိုးအစားနှင့် npn အမျိုးအစားတို့ကိုပေါင်းစပ်၍ သိုင်ရစ်စတာ (ခေါ်) SCR တစ်ခုဖြစ်ပေါ်လာသည်။