移动DDR

移动DDR（英文：Mobile DDR）（也称MDDR、Low Power DDR或LPDDR）是DDR SDRAM的一種，專門用於移動式電子產品，例如智能電話等。

DDR内存从DDR、DDR2 、DDR3发展到DDR4，频率不断升高、电压不断降低，但反應時間不断变大。如今的DDR4内存最重要的使命是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚可提供2Gbps（256MB/s）的带宽，拥有4266MT/s的频率，内存容量最大可达128GB，运行电压正常可降至1.1V~1.2V。

相对于DDR内存，MDDR具有低功耗、高可靠性的特点，目前韩国三星电子与美光科技（Micron Technology）等公司已掌握该项技术。

MDDR的运行电压（工作电压）低于DDR的标准电压，从第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使内部读取速度和外部传输速度加倍。如今的LPDDR4可提供32Gbps的带宽，输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，电压降到了1.1V。

LPDDR2

一个新的JEDEC标准JESD209-2F （页面存档备份，存于互联网档案馆）定义了low-power DDR介面标准。它与DDR1或DDR2 SDRAM并不兼容，但类似：

LPDDR2-S2: 2n prefetch memory (像 DDR1)，
LPDDR2-S4: 4n prefetch memory (像 DDR2)，或是
LPDDR2-N: 非易失性（NAND）内存。

低功耗狀態基本相似，LPDDR，一些額外的部分陣列更新選項。

LPDDR2 命令编码^[1]
CK	CA0 (RAS)	CA1 (CAS)	CA2 (WE)	CA3	CA4	CA5	CA6	CA7	CA8	CA9	操作
↑	H	H	H	—							NOP
↓	—										NOP
↑	H	H	L	H	H	—					預先充電所有的 banks
↓	—										預先充電所有的 banks
↑	H	H	L	H	L	—		BA2	BA1	BA0	預先充電一個 bank
↓	—										預先充電一個 bank
↑	H	H	L	H	A30	A31	A32	BA2	BA1	BA0	Preactive (LPDDR2-N only)
↓	A20	A21	A22	A23	A24	A25	A26	A27	A28	A29	Preactive (LPDDR2-N only)
↑	H	H	L	L	—						突發中止
↓	—										突發中止
↑	H	L	H	reserved		C1	C2	BA2	BA1	BA0	讀 (AP=auto-precharge)
↓	AP	C3	C4	C5	C6	C7	C8	C9	C10	C11	讀 (AP=auto-precharge)
↑	H	L	L	reserved		C1	C2	BA2	BA1	BA0	寫 (AP=auto-precharge)
↓	AP	C3	C4	C5	C6	C7	C8	C9	C10	C11	寫 (AP=auto-precharge)
↑	L	H	R8	R9	R10	R11	R12	BA2	BA1	BA0	激活 (R0–14=Row address)
↓	R0	R1	R2	R3	R4	R5	R6	R7	R13	R14	激活 (R0–14=Row address)
↑	L	H	A15	A16	A17	A18	A19	BA2	BA1	BA0	激活 (LPDDR2-N only)
↓	A5	A6	A7	A8	A9	A10	A11	A12	A13	A14	激活 (LPDDR2-N only)
↑	L	L	H	H	—						更新所有的 banks (LPDDR2-Sx only)
↓	—										更新所有的 banks (LPDDR2-Sx only)
↑	L	L	H	L	—						更新一個 bank (Round-robin addressing)
↓	—										更新一個 bank (Round-robin addressing)
↑	L	L	L	H	MA0	MA1	MA2	MA3	MA4	MA5	Mode register read (MA0–7=Address)
↓	MA6	MA7	—								Mode register read (MA0–7=Address)
↑	L	L	L	L	MA0	MA1	MA2	MA3	MA4	MA5	Mode register write (OP0–7=Data)
↓	MA6	MA7	OP0	OP1	OP2	OP3	OP4	OP5	OP6	OP7	Mode register write (OP0–7=Data)

列位址（Column address）C0 bit從未轉讓，並假定為零。突發傳輸（Burst transfers）從而始終在偶數地址開始。

LPDDR2也有一個低電平有效的chip select（高時，一切都是NOP）和時鐘（clock）開啟CKE信號，操作像SDRAM。

如果晶片被激活（active），它凍結（freeze）到位。
如果該命令是一個NOP（CS低或CA0 - 2 = HHH），晶片空閒。
如果該命令是一個更新命令（CA0 - 2 = LLH），晶片進入自更新狀態。
如果該命令是一個突發終止（CA0 - 2 = HHL），晶片進入深斷電狀態。（完全復位序列時，需要離開。）

LPDDR3

2012年5月，JEDEC固態技術協會公佈JESD209-3低功耗記憶裝置標準。比起LPDDR2，LPDDR3提供更高的數據傳輸速率、更高的頻寬與功率效率。LPDDR3可達到1600 MT/s的數據傳輸速率，並利用關鍵的新技術write-leveling、command/address training、選擇性ODT（On Die Termination）與低I/O電容。LPDDR3支援PoP封裝（package-on-package）與離散封裝兩種形式。

LPDDR4

2013年3月14日，JEDEC固態技術協會舉辦會議，探討未來移動裝置的新標準，如LPDDR4。

LPDDR4X

三星電子提出最新的LPDDR4標準，与LPDDR4相同，只是透過将I / O电压降低到0.6 V而不是1.1 V来节省额外的功耗，也就是更省电。

LPDDR5

2017年，JEDEC固態技術協會正在研究LP-DDR5記憶裝置標準。儘管負責制定記憶體標準的JEDEC固態技術協會尚未發表LPDDR5的正式規格，但三星已經完成8Gbit LPDDR5模組原型的功能測試與驗證。

JEDEC於2019年2月19日發布了JESD209-5，低功耗雙倍數據速率5（LPDDR5）標準。

LPDDR5X

2021年7月28日，JEDEC發布了JESD209-5B，低功耗雙倍數據速率5 (LPDDR5)。JESD209-5B包括對LPDDR5標準的更新，專注於提高性能、功耗和靈活性，以及新的LPDDR5X標準，這是對LPDDR5的可選擴展。

2021年11月9日，三星宣佈公司已開發出業界首款LPDDR5x DRAM。基於14納米的16GB LPDDR5X DRAM解決方案，不僅具有1.3倍以上的數據傳輸速率、功耗還降低了將近20%^[2]。

2021年11月22日，美光科技宣佈，聯發科技已率先驗證美光LPDDR5X DRAM，並將用於其為智能手機打造的全新天璣9000 5G旗艦晶片組。^[3]

注釋

外部連結

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