Transistor efek–medan

Transistor efek–medan dipunciptakakèn déning Julius Edgar Lilienfeld ing taun 1925 lan déning Oskar Heil ing taun 1934, nanging peranti praktis boten dipundamel kanthi masal nagntos taun 1990-an.

Sdèaya FET gadhah sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) lan sumber (source) ingkang kintèn-kintèn sami kaliyan basis, kolektor lan emitor ing BJT. Sanèsipun JFET, sedaya FET ugi gadhah saluran kaping sèkawan ingkang dipunnamani badan, dhasar utawi substrat. Saluran kaping sèkawan punika nglayani kegunaan teknis ing pemanjaran transistor kedalam titik operasi. Terminal punika sangat jarang dipunginaakèn ing desain sirkuit, nanging keberadaanipun punika wigati ngrancang penataan sirkuit terpadu.

Asma-asma saluran ing FET mengacu ing fungsinipun. Saluran gerbang saged dipunanggep dados pengontrol buka-tutup saking gerbang sesungguhipun. Gerbang punika ngizinaken elektron kanggé ngalir utawi ncegah kaliyan ndamel lan mengikangkan sebuah kanal ing antawisipun sumber lan cerat. Elektron ngalir saking sumber nuju ing saluran cerat manawi wonten tegangan ingkang dipunparingake. Badan punika seluruh semikonduktor dhasar ing pundhi gerbang, sumber lan cerat dipunpanggenaken. Limrahipun saluran badan dipunsambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah ing sirkuit, gumantung ing tipenipun. Saluran badan lan saluran sumber limrahipun dispunambungaken amargisumber limrahipun dispunambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah saking sirkuit, nanging wonten pinten-pinten penggunaan saking FET ingkang boten kados ta makaten, kados ta sirkuit gerbang transmisi lan kaskoda.

FET saged dipundamel saking pinten-pinten semikonduktor, silikon dados ingkang paling umum. FET ing limrahipun dipundamel kaliyan prosès pembuatan semikonduktor borongan, ngginakaken lapik semikonduktor kristal tunggal minangka daerah aktif, utawi kanal. Ing antawisipun bahan badan ingkang boten lajim inggih punika amorphous silicon, polycrystalline silicon lan OFET ingkang dipundamel saking semikonduktor organik lan asring ngginakaken isolator gerbang d\lan elektrode organik.Ing moda punika, FET kanggé kados ta sebuah resistor variabel lan FET ngendika beroperasi ing moda linier utawi moda ohmik^[1][2] Manawi tegangan cerat-ke-sumber mundhak, punika ndamel owah-owahan wujud kanal ingkang signifikan lan taksimetrik amargi gradien tegangan saking sumber ing cerat. Wujud saking daerah pembalikan dados kurus dekat ujung cerat saking kanal. Manawi tegangan cerat-ke-sumber dipuntingkataken lajengipun, titik kurus dari kanal wiwit bergerak dari cerat menuju ke sumber. Pada keadaan ini, FET ngendika ing moda penjenuhan,^[3] pinten-pinten tiyang nyebataken moda aktif, kanggé nganalogikan kaliyan tlatah operasi transistor dwikutub.^[4][5]

Kanal ing FET sampun didoping kanggé ndamel saé semikonduktor tipe-n utawi semikonduktor tipe-p. Ing FET moda pengayaan, cerat lan sumber dipundamel bènten tipe kaliyan kanal, manawi ing FET moda pemiskinan dipundamel setipe kaliyan kanal. FET ugi dipunbentenaken dhedhasar metoda pengisolasian ing antawisipun gerbang lan kanal.Jinis-jinis dari FET ya iku:

• MOSFET (Metal–Oxide–Semiconductor FET, FET Semikonduktor–Oksida–Logam) ngginakaken isolator (limrahipun SiO₂) ing antawisipun gerbang lan badan.
• JFET (Junction FET, FET Pertemuan) ngginakaken sambungan p-n ingkang dipanjar kawalik kanggé misahaken gerbang saking badan.
• MESFET (Metal–Semiconductor FET, FET Semikonduktor–Logam) nggantos sambungan p-n ing JFET kaliyan sawar Schottky, dipun-ginakaken ing GaAs lan bahan semikonduktor sanèsipun.

• PBS The Field Effect Transistor
• Junction Field Effect Transistor Archived 2009-04-14 at the Wayback Machine.
• The Enhancement Mode MOSFET
• CMOS gate circuitry
• Winning the Battle Against Latchup in CMOS Analog Switches Archived 2012-07-17 at the Wayback Machine.
• Nanotube FETs at IBM Research
• Field Effect Transistors in Theory and Practice

Cithakan:Transistor