Gaismas diode

«LED» pāradresējas uz šejieni. Citas nozīmes skatīt lapā LED (nozīmju atdalīšana).

Gaismas diode[5] ir pusvadītāju diode, kuras p-n pāreja vadāmības virzienā plūstošas strāvas ietekmē spīd, izstarojot redzamā vai neredzamā spektra gaismu. Gaismas diodes mēdz saukt arī par mirdzdiodēm, vai LED (angļu: light-emitting diode).

Gaismas diode (LED)
Zila, zaļa, un sarkana LED iekš 5 mm ietvarā
Darbības principsElektroluminiscence
IzgudrotsH. J. Round (1907)[1]
Oleg Losev (1927)[2]
James R. Biard (1961)[3]
Nick Holonyak (1962)[4]
Pirmo reizi ražots1962. oktobris
Pinu konfigurācijaAnods un katods
Elektroniskais simbols
3 pamatkrāsu diodes.
Gaismas diodes shematiskais apzīmējums.

Darbības princips

Vadāmības virzienā pieslēgta sprieguma ietekmē pārpalikuma lādiņi elektroni no elektronu vadītspējas (n tipa) pusvadītāja cauri p-n pārejai difundē caurumu vadītspējas (p tipa) pusvadītājā, kur tie rekombinējas ar caurumiem. Rekombinējoties elektroni pāriet no vadītspējas zonas valences zonā, tātad no augstāka enerģijas līmeņa zemākā. Šīs pārejas rezultātā atbrīvojas enerģija, kura daļēji pārvēršas siltumā un daļēji tiek izstarota fotonu veidā. Izstarotās gaismas viļņa garums ir atkarīgs no pusvadītāja kristālrežģa aizliegtās zonas platuma.

Īpašības

Spektrālās īpašības

Atšķirībā no kvēlspuldzēm gaismas diodes neizstaro siltumu. Tādēļ gaismas diodēm ir ļoti augsts lietderības koeficients. To starojums ir ļoti šaurā spektrā, monohromatisks. Ilgu laiku bija problemātiski iegūt diodes visām pamatgaismām, tikai 1990. gados parādījās lētas zilās gaismas diodes.

Virziendarbība

Gaismas diodēm raksturīgs vērsts starojums.

Plakana pusvadītāja virsma gaismu izstaro perpendikulāri virsmai un tikai nedaudz sāņus. Vērstā starojuma dēļ ir nedaudz apgrūtināta diožu izmantošana difūza apgaismojuma iegūšanai.

Elektriskās īpašības

Pēc elektriskajām īpašībām gaismas diodes ir līdzīgas parastajām diodēm, taču pusvadītāja materiāla izvēle nosaka lielāku sprieguma kritumu vadāmības virzienā (atvēršanās spriegums). Atvērtas diodes diferenciālā pretestība ir ļoti maza, savukārt mirdzēšanas stiprums ir atkarīgs no caurplūstošās strāvas, tādēļ gaismas diodes ieteicams barot no strāvas avota.

Gaismas diodes slēguma piemērs

Darbības ātrums

Gaismas diodēm piemīt pavisam neliela spīdēšanas inerce, tāpēc tās var izmantot dažādu stroboskopisku efektu iegūšanai (dinamiskā indikācija).

Mirdzēšanas krāsa, sprieguma kritums un izgatavošanas materiāls

KrāsaViļņa garums [nm]Sprieguma kritums [ΔV]Pusvadītāja materiāls
Infrasarkanaλ > 760ΔV < 1.63Gallija arsenīds (GaAs)
Alumīnija gallija arsenīds (AlGaAs)
Sarkana610 < λ < 7601.63 < ΔV < 2.03Alumīnija gallija arsenīds (AlGaAs)
Gallija arsenīda fosfīds (GaAsP)
Alumīnija gallija indija fosfīds (AlGaInP)
Gallija(III) fosfīds (GaP)
Oranža590 < λ < 6102.03 < ΔV < 2.10Gallija arsenīda fosfīds (GaAsP)
Alumīnija gallija indija fosfīds (AlGaInP)
Gallija(III) fosfīds (GaP)
Dzeltena570 < λ < 5902.10 < ΔV < 2.18Gallija arsenīda fosfīds (GaAsP)
Alumīnija gallija indija fosfīds (AlGaInP)
Gallija(III) fosfīds (GaP)
Zaļa500 < λ < 5701.9[6] < ΔV < 4.0Indija gallija nitrīds (InGaN) / Gallija(III) nitrīds (GaN)
Gallija(III) fosfīds (GaP)
Alumīnija gallija indija fosfīds (AlGaInP)
Alumīnija gallija fosfīds (AlGaP)
Zila450 < λ < 5002.48 < ΔV < 3.7Cinka selenīds (ZnSe)
Indija gallija nitrīds (InGaN)
Silīcija karbīds (SiC) kā substrāts
Silīcijs (Si) kā substrāts — izstrādes stadijā
Violeta400 < λ < 4502.76 < ΔV < 4.0Indija gallija nitrīds (InGaN)
Purpurajauktais spektrs2.48 < ΔV < 3.7divas diodes zila un sarkana,
zila ar sarkanu luminoforu,
vai balta ar purpura plastmasas korpusu
Ultravioletaλ < 4003.1 < ΔV < 4.4Dimants (235 nm)[7]
Bora nitrīds (215 nm)[8][9]
Alumīnija nitrīds (AlN) (210 nm)[10]
Alumīnija gallija nitrīds (AlGaN)
Alumīnija gallija indija nitrīds (AlGaInN) — līdz 210 nm[11]
Rozājauktais spektrsΔV ~ 3.3[12]Zila diode ar vienu vai diviem luminofora slāņiem,
dzeltena ar oranžu vai rozā luminoforu,
vai balta ar rozā pigmentu.[13]
Baltaplašs spektrsΔV = 3.5Zila vai ultravioleta diode ar dzeltenu luminoforu

Izmantošana

Mirdzdiodes izmanto

  • Informācijas atspoguļošanai, gan kā atsevišķas diodes, gan kā diožu matricas.
  • Informācijas iegūšanai, piemēram skeneros
  • Elektriskās atsaistes izveidošanai, optronu sastāvā
  • Apgaismošanai

Skatīt arī

Atsauces

Ārējās saites